格棋搶攻碳化矽！第4季登錄興櫃　加速導入8吋平台、擴增長晶爐規模

財經中心／綜合報導

成軍僅3年的格棋化合物半導體，宣布將於今年第4季登錄興櫃，搶進第三類半導體材料「碳化矽（SiC）」的關鍵戰場。董事長張忠傑指出，看好電動車、高效能源、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求快速成長，碳化矽仍是未來能源轉型的核心材料，公司正加速擴充產能，力拚2026年轉虧為盈。

根據市場研究機構Yole Group最新《Power SiC 2025》報告，全球碳化矽功率元件市場預計2030年將突破103億美元，2024至2030年年均複合成長率達20.3％。報告指出，6吋碳化矽晶圓目前仍是主流平台，8吋則是未來擴產與降本的重要方向，兩者將長期並行。

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格棋目前以6吋平台為量產主軸，具備規模效益與良率控制優勢，並已完成8吋長晶及熱場模組的前期驗證，將依客戶世代轉換與應用需求，適時導入8吋平台，確保成本效益與良率穩定。張忠傑透露，公司也已投入12吋大尺寸研發，並在中壢建置試產線，布局下一階段發展。

在產能部署上，格棋預計2025年底將長晶爐規模擴充至百台以上，並同步興建萬坪新廠，做為總部與研發中心。格棋產品線涵蓋導電型與半絕緣型晶圓，應用於電動車主驅模組、光儲逆變器與AI高效伺服器，已獲多家國際大廠驗證，目前正與日本、北美客戶洽談長約。

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格棋為台灣少數具備垂直整合能力的新創，掌握從長晶、晶棒加工到晶圓出貨的完整製程。公司聚焦四大核心技術，包括材料物性控管、籽晶精度、熱場設計與模組穩定性，透過自主開發，成功降低結晶缺陷密度，晶圓導電穩定性與良率已達國際水準。

因應地緣政治與供應鏈重組，格棋推動「虛擬IDM」模式，整合原料、長晶、設計驗證到模組應用，打造一站式服務。未來將在北美、日本與歐洲設立技術據點，為車廠與通訊客戶提供在地支援，加速碳化矽落地應用。

張忠傑強調，碳化矽並非快速爆發型市場，而是具備長期技術壁壘與應用黏著度的戰略材料。透過技術創新、產能韌性與國際合作，格棋有望在全球第三類半導體供應鏈中占據關鍵位置，也為台灣化合物半導體產業注入新動能。

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