記憶體市場迎結構性變革！DRAM缺貨壓力難解　華邦電總經理估延續至2027年

記者鄧宇婷／綜合報導

華邦電（2344）昨（5）日召開法說會，總經理陳沛銘指出，全球記憶體產業正面臨前所未有的結構性轉變，DDR5、DDR4與DDR3的缺貨情況恐怕將一路延續到2027年，短期內難以緩解。

陳沛銘分析，這場變革的根源在於DRAM技術標準與先進製程的矛盾。傳統DDR3與DDR4在設計時並未要求內建ECC（糾錯碼），然而當三大記憶體供應商（三星、SK海力士、美光）將製程推進至14奈米、13奈米後甚至更精密的製程時，單元變得極為微小，容易產生壞軌（bad bits），就得依靠ECC來補償。

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由於JEDEC標準並未允許在DDR3、DDR4產品中加入ECC，使得三大原廠的先進製程線再也無法回頭生產這兩代產品，只能全面轉向支援ECC的DDR5製程，導致DDR4供應出現結構性缺口。陳沛銘認為，這波DDR5和DDR4或DDR3的缺貨壓力恐怕會持續到2027年。

華邦電第3季稅後純益29.44億元、每股盈餘0.65元，成功終結連4季虧損，並一舉弭平上半年虧損，使前三季稅後純益達5.4億元，年減56.7%，每股純益0.12元。

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至於Flash產品線，原預期第2季客戶提前拉貨後需求將降溫，但實際情況卻相反，第3季營收仍季增4.2%，報價上漲4%至6%。陳沛銘指出，目前成品與經銷商庫存幾乎全數售罄，公司正加速擴充後段測試產能。

製程方面，20奈米作為華邦電首度跨入DDR4領域的製程，如今已成為公司主要動能，占整體出貨量約37%。其中DDR4產品表現最為亮眼，上季出貨量翻倍，本季占比仍在提升。

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