發布時間：2025/11/30 20:15
記者何亞軒／綜合報導
知情人士爆料，美光科技（Micron Technology）為了因應地緣政治風險升高疑慮，將投資1.5兆日圓（約新台幣3017億元）於日本廣島建設先進高頻寬記憶體（HBM）晶片新廠。
根據路透社引用《日經》新聞報導，美光將投資1.5兆日圓於日本廣島建廠，該廠將用以產出先進高頻寬記憶體（HBM）晶片，並預期於明（2026）年5月正式動工、2028年前後開始出貨。日本經濟產業省也將為該計畫提供最高5000億日圓補助。不過路透社指出，目前路透社無法立即查證此報導真偽。
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美光在台灣、美國都有主要生產地，不過HBM生產重心一直擺在台灣，在在美中局勢逐漸緊張的情況下，中國與台灣地緣政治風險上升，美光此投資也被解讀出了避險意味，此舉將有助於美光本身減少對台灣生產基地的依賴，並提高它在半導體市場上與領導企業SK海力士競爭的能力。
受惠於AI帶動記憶體需求暴增，美光今年以來股價已狂漲181%。
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