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記憶體大戰開打!鎧俠332層晶片直攻AI資料中心 新世代BiCS FLASH裝置送樣

發布時間:2026/7/3 11:55

記者陳雅婷/綜合報導

全球領先的儲存解決方案供應商鎧俠(Kioxia)於今(3)日宣布,已開始向AI資料中心業者送交新一代BiCS FLASH 3D快閃記憶體晶片樣品,目標是在快速成長的高階儲存市場中進一步擴大市占。該公司表示,這款新世代高密度NAND產品專為AI運算與雲端資料中心設計,針對資料儲存密度、傳輸速度與能源效率等關鍵需求進行全面強化。

拜AI熱潮帶動需求飆升,鎧俠已躍升為日本市值最高企業。(圖/翻攝自鎧俠官網)

此次送樣的產品採用第十代BiCS技術,屬於1Tb TLC規格,並透過高達332層的3D堆疊結構,在單一矽晶片中容納更多儲存容量,以滿足AI時代對大規模資料處理的需求。同時,新一代產品將應用於企業級資料中心固態硬碟(SSD),成為鎧俠在高階儲存解決方案中的核心產品之一。

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在製造方面,相關晶片將於鎧俠位於,日本岩手縣北上的新一代製造基地進行生產,其中包括新啟用的第二廠房(Fab 2)。該產線將導入最新製程設備,用以支撐高層數3D NAND的量產需求。隨著生成式AI與雲端運算快速擴張,資料中心對儲存裝置的速度與能耗要求持續提升,也推動鎧俠同步擴充產能,並在同一製造基地提升第九代與第十代BiCS產品的供應規模,以分層應對不同市場需求。

在技術層面,第十代BiCS FLASH結合CMOS直接鍵合至陣列(CBA)架構與On-Pitch Select Gate Drain(OPS)設計,使NAND介面傳輸速度提升至4.8 Gb/s,相較前一代產品增加約33%。同時,透過高密度堆疊設計,整體位元密度提升約59%,並在讀寫功耗上分別帶來約18%與30%的效率改善,有助降低大型資料中心的長期營運成本。

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鎧俠指出,公司目前採取雙軌產品策略,一方面持續推動第九代BiCS產品以維持成本競爭力,另一方面則以第十代高階產品,鎖定AI資料中心與高效能運算市場,藉此完整覆蓋從主流到頂級應用的儲存需求。

在產業競爭方面,鎧俠正與三星電子、SK海力士及美光科技等主要記憶體製造商競逐全球資料中心與行動裝置市場。隨著AI需求推升記憶體用量,市場供需一度趨緊,也使記憶體價格與廠商市值出現波動。不過,隨著各大廠同步擴產,市場也開始關注後續供給增加,是否會影響價格走勢與產業獲利結構。

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