中國半導體追兵2／長鑫擴產、DUV突圍　中國供應鏈逼近台廠腹地？

圖文／鏡週刊

中國記憶體大廠長鑫科技（長鑫存儲）完成大規模IPO，緊接著又傳出國產浸潤式深紫外光（DUV）曝光機開始量產，兩項進展接連引發市場關注。半導體產業關心，當中國逐步補齊資本、設備與製造能力後，未來新增產能將流向何處，又將如何改變全球供應鏈競爭。分析師認為，短期AI晶片競爭格局仍難撼動，但成熟製程與主流記憶體市場，可能率先迎來新一波價格競爭。

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近年美國持續收緊對中國半導體出口管制，限制高階AI晶片、EUV曝光機及部分先進製程設備出口，但中國則持續加碼投資本土供應鏈，發展方向也逐漸聚焦成熟製程與主流記憶體。多家研究機構統計，全球新增成熟製程產能近年主要來自中國，中芯國際、華虹半導體等業者持續擴建12吋晶圓廠，而長鑫也在完成募資後規劃擴充DRAM產能。

資深半導體產業分析師陸行之發文指出，市場現階段不必過度解讀中國國產DUV量產對ASML的衝擊。以目前規劃來看，中國今年產量仍僅約數台，未來數年也遠低於ASML每年出貨規模，短期難以撼動全球設備市場。他認為，真正值得關注的是，中國若持續掌握成熟製程設備能力，代表未來即使面臨出口限制，仍有能力持續擴建28奈米以上製程產能，長期可能改變成熟製程市場供需結構。

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陸行之也分析，中國若逐步建立自主DUV設備能力，將有助於持續擴充成熟製程產能，未來成熟製程晶圓代工的平均售價（ASP）及毛利率可能面臨壓力。他指出，相較於以3奈米、2奈米為主的先進製程，成熟製程產品差異化相對有限，其中，成熟製程比重較高的晶圓代工業者，包括聯電、世界先進及力積電等，值得持續觀察；至於台積電，由於營運重心仍在先進製程與先進封裝，受到的影響相對有限。

至於長鑫存儲對記憶體市場的影響，目前全球DRAM市場仍受AI需求帶動，三星電子、SK海力士及美光持續將更多產能投入HBM生產，使主流DRAM供給維持相對吃緊。研調機構Counterpoint Research指出，長鑫雖已成為全球第4大DRAM供應商，但HBM技術仍落後國際三大廠，短期仍難切入AI伺服器供應鏈，主要競爭仍集中在DDR4、DDR5及LPDDR等主流產品。

資深半導體分析師陳慧明則認為，AI記憶體供不應求的情況可望延續至2027年，因此長鑫短期對HBM市場影響有限。不過，他提醒，若未來AI基礎建設投資放緩，新增DRAM產能重新回流消費性市場，加上長鑫持續擴產，全球主流DRAM市場競爭將明顯升溫。

陳慧明認為，對台灣記憶體模組廠而言，中國DRAM供應增加可能是「短多長空」。短期而言，供應來源增加有助降低採購成本；但長期若中國品牌逐步取得更多終端客戶認可，品牌廠採購選擇增加，模組廠的議價能力反而可能受到壓縮。他指出，美中科技戰下，過去非紅供應鏈為台廠帶來不少轉單效益，但若中國供應鏈持續向外擴張，台灣業者未來將面臨更多競爭。

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