訂單竟談到2030年！「這記憶體大廠」DRAM漲50％急擴產　2027年再蓋無塵室搶AI大單

記者莊蕙如／綜合報導

AI把記憶體需求一路燒到2030年，華邦電（2344）決定提前擴產迎戰！隨DRAM、Flash供需持續吃緊，加上AI先進封裝帶來新一輪需求，公司已啟動高雄路竹廠Module B擴建計畫，將原先規畫的二、三期整併開發，預計2027年正式動工興建新無塵室，最快2029年初開始裝機。更值得注意的是，目前已有客戶提前洽談2029年至2030年產能，顯示這波AI記憶體軍備競賽已一路延伸至未來數年。

華邦電敢提前大舉擴產，背後最大底氣就是記憶體供需仍相當緊俏。法人指出，第三季利基型DRAM與SLC NAND皆呈現供不應求，價格季漲幅預估高達約50％；NOR Flash也因雲端服務供應商（CSP）大客戶積極備貨，排擠其他應用市場供給，單季價格漲幅估達30％。

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記憶體價格狂飆已直接反映在華邦電財報。公司第二季合併營收達598.43億元，季增56.4％、年增184.7％，其中DRAM價格單季大漲約100％，Flash也上揚約43％，推升合併毛利率一舉衝至66.2％，每股稅後純益（EPS）達5.40元，展現記憶體漲價與產品組合改善帶來的強勁獲利爆發力。

雖然法人預估第四季記憶體價格漲勢將開始降溫，季增幅可能收斂至2％至5％，但並不代表華邦電成長動能就此熄火。隨DRAM產能增加、出貨量同步擴大，法人仍預期公司第四季營收及獲利有機會維持季增，營運成長將從單純依靠價格上漲，逐漸轉向「量增」接棒。

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真正值得關注的則是華邦電已經開始為下一個AI周期預留產能。法人指出，代理式AI（Agentic AI）持續推升記憶體容量需求，同時帶動先進封裝市場擴張，相關趨勢預料並非短期現象，因此公司決定提前啟動Module B計畫，把原定分階段開發的路竹廠二、三期整合推進。

依目前時程，Module B將在2027年正式動工，新無塵室最快於2029年初進入設備安裝階段，後續則依客戶需求預測及長期協議（LTA）分階段導入產能。由於部分客戶已開始與華邦電討論2029年甚至2030年的產能配置，也讓這座新無塵室還沒開工，就先成為市場觀察未來AI記憶體需求的重要指標。

◎《FTNN新聞網》提醒您：本資料僅供參考，投資人應獨立判斷，審慎評估並自負投資風險。