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聯電攜手英特爾 開發12奈米製程

發布時間:2024/1/26 07:15

聯電與英特爾合作,開發12奈米製程。(本刊資料照)
聯電與英特爾合作,開發12奈米製程。(本刊資料照)

圖文/鏡週刊

聯電宣布將與英特爾合作開發12奈米製程平台,結合聯電在成熟製程的晶圓代工經驗,以及英特爾在美國的大規模製造產能,並預計在2027年投入量產。

聯電昨天晚上在公開資訊觀測站上公告,將與英特爾合作開發12奈米製程平台,以因應行動、通訊基礎建設和網路等市場的快速成長。這項長期合作結合英特爾位於美國的大規模製造產能,和聯電在成熟製程上豐富的晶圓代工經驗,以擴充製成組合,同時提供更佳的區域多元且具韌性的供應鏈,協助全球客戶做出更好的採購決策,預計2027年投入量產。

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英特爾資深副總裁暨晶圓代工服務(IFS)總經理Stuart Pann表示,「幾十年來,台灣一直是亞洲和全球半導體及廣泛的技術生態系的重要成員,英特爾致力於與聯電這樣的台灣創新企業合作,為全球客戶提供更好的服務,英特爾與聯電的策略合作進一步展現了為全球半導體供應鏈提供技術和製造創新的承諾,也是實現英特爾在2030年成為全球第二大晶圓代工廠的重要一步。

聯電共同總經理王石表示,「聯電與英特爾進行在美國製造的12奈米FinFET製程合作,是本公司追求成本效益的產能擴張,和技術節點升級策略的重要一環,此舉並延續我們對客戶的一貫承諾。這項合作將協助客戶順利升級到此關鍵技術節點,同時受惠於擴展位於北美市場產能帶來的供應鏈韌性。聯電期待與英特爾展開策略合作,利用雙方的互補優勢,以擴大潛在市場,同時大幅加快技術發展時程。」

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聯電表示,此項12奈米製程將善用英特爾位於美國的大規模製造能力和FinFET電晶體設計經驗,提供兼具成熟度、性能和能耗效率的強大組合。受惠於聯電在製程上的領導地位,以及為客戶提供PDK及設計支援方面的數十年經驗,得以更有效地提供晶圓代工服務。新的製程將在英特爾位於美國亞利桑那州的12、22和32廠進行開發和製造,透過運用晶圓廠的現有設備將可大幅降低前期投資,並最佳化利用率。雙方將致力滿足客戶需求,透過生態系合作夥伴提供的電子設計自動化和智慧財產權解決方案,合作支援12奈米製程的設計實現。

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