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【台亞轉型大戰略2】全力搶進第三類半導體 氮化鎵、碳化矽最新進度大揭密

發布時間:2023/7/16 15:40

台亞投入氮化鎵發展有成,現已有小量訂單,可望在年底前開生產。圖為台亞半導體晶圓產線。(本刊資料照)

圖文/鏡週刊

台亞半導體近期積極搶進第三類半導體事業,將其視為感測元件下一個主力發展的產業。其中,碳化矽(SiC)生產製造,預計年底前完成mini line建置,預計2024年Q1逐季市場;氮化鎵部分,則是預備建置8吋生產線,投入矽基氮化鎵(GaN on Si)方案,現已有已有小量訂單,有望年底前能進入生產階段。

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「未來投資案就是為了台亞投入功率半導體的投資案」,台亞總經理衣冠君肯定地說道。不僅在去年宣布成立子公司積亞半導體,深耕碳化矽生產製造,今年更斥資90億新台幣,大力拓展氮化鎵,搭配既有的矽產線,成為少數同時擁有3種材料技術的功率元件業者。

衣冠君表示,在碳化矽設備端,去年已經發出訂單,預計7月將有部分設備進廠房,但因為設備種類多元,故預計安排今年底前完成碳化矽的Mini Line,2024年第一季逐季試產。

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而另一方面,較晚投入的氮化鎵領域,台亞更有後發先至的意味。衣冠君直指,台亞過去在光磊時期,就已經有小量生產矽功率半導體元件的能力,從矽轉到氮化鎵,產線有近9成相同,僅需加上有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)設備即可,而台亞過去在LED時代就累積不少對於MOCVD的經驗與技術,進入門檻相對低。

也因如此,「台亞將原本6吋感測元件的產線,搭配去年底專為氮化鎵產線購入的第一台MOCVD設備,已經成功試產符合電信規格的首顆650V氮化鎵功率元件」,衣冠君開心地說道。

台亞總經理衣冠君表示,台亞首顆650V氮化鎵功率元件已完成內部測試,靜態或動態測試都可以達到業界標準。

衣冠君進一步表示,目前該樣品已完成工廠內部測試,無論是靜態或動態測試都可以達到業界標準,現在有兩家客戶看到初期資料,會開始將其產品帶進台亞廠房內進行少量產品代工,後續代客戶驗證完後,即能供貨。

然而台亞在第三類半導體所面對的競爭對手,在前面有國際投入許久的領導業者Wolfspeed、英飛凌(Infineon)等IDM大廠外,中國在其中投入腳步也非常快速,近期三安光電更與特斯拉(Tesla)碳化矽主要合作廠商意法半導體(ST)合作,大規模量產8吋碳化矽元件。

此外,針對意法半導體(ST)與三安光電的合作,衣冠君分析,目前中國有很大的產能閒置,加上意法半導體也發現,無法生產足夠元件供貨給特斯拉(Tesla),故此次合作為合理的商業考量,無論在電動車、人力上都是加分效果。

而從整體產業角度來看,面對中國業者的來勢洶洶,台灣競爭優劣勢如何?衣冠君回應,從建設工廠的角度來看,中國的人力、水電費都不比台灣便宜,目前雖擁有政府支持,以補貼手段來賠錢生產,但這恐怕是無法長久的事業,不認為這是個威脅。


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