環球晶股價飆3成！SiC成下一世代GPU散熱神兵　法人喊：「先卡位再說」

記者莊蕙如／綜合報導

隨著AI伺服器與高效能運算（HPC）晶片功耗狂飆，散熱已成為下一世代GPU最棘手的難題。碳化矽（SiC）材料因具備優異導熱性能，被視為突破口，而環球晶正憑藉其晶圓切割與研磨技術，搶先握住這張通往未來的關鍵門票。

目前輝達（NVIDIA）Blackwell GPU仍採石墨TIM，預計下一代Rubin GPU也將延用石墨。然而，法人指出，當AI運算能耗持續攀升，業界早已著手開發包括金屬銦、液態金屬與SiC在內的新材料，以應付未來散熱挑戰。其中，SiC carrier／TIM若採多晶方案，並搭配6吋或8吋基板，製造難度相對降低，但短期內（一至二年）仍難以量產，僅可能在Rubin Ultra GPU階段小量測試，真正導入量產最快也要等到Feynman GPU世代。

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環球晶在近期SEMICON Taiwan展會中首度揭露，已成功開發出12吋單晶與多晶SiC原型晶圓，並同步布局SiC中介層（interposer）與SiC carrier，顯示其企圖心不僅止於原料，更直攻先進封裝應用。據了解，此技術並非市場盛傳的鍍膜概念，而是以完整SiC carrier wafer直接貼合，因散熱效率遠優於鍍膜方式，能大幅提升GPU熱導能力。至於導電部分，仍透過矽中介層運作，等同在傳統封裝流程中額外增加一片SiC carrier，以強化整體散熱效能。

法人分析，環球晶憑藉wafering實力與長期客戶關係，極有機會在AI GPU世代散熱解方中奪下先行優勢。市場對此題材高度期待，資本動能率先反應。自9月8日以來，環球晶股價已狂漲逾3成，遠勝大盤5％漲幅。法人認為，此波漲勢不僅反映對SiC應用的憧憬，同時也受惠於NAND與傳統DRAM需求的復甦，進一步鞏固其半導體領頭羊地位。

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