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馬斯克示警記憶體大軍!外資狂砍力積電9.7萬張、南亞科4.1萬張 血崩原因曝光!

發布時間:2026/10/14 08:55

記者莊蕙如/綜合報導

中國記憶體大廠長鑫存儲傳出將推出新一代DDR5產品,市場擔憂低成本產能大舉擴張,衝擊全球記憶體供需,台股13日掀起恐慌性賣壓!力積電(6770)、南亞科(2408)、華邦電(2344)成為外資提款重災區,單日分別遭賣超9.7萬張、4.1萬張及3.7萬張,拖累記憶體族群全面重挫。特斯拉執行長馬斯克更公開示警中國製造業驚人的擴產能力,讓市場對記憶體產業競爭升溫的疑慮進一步擴大。

中國記憶體大廠長鑫存儲傳出將推出新一代DDR5產品,市場擔憂低成本產能大舉擴張,衝擊全球記憶體供需(圖/pexels)

這波市場震盪的焦點,來自中國長鑫存儲傳出計畫於年底前推出採用4F²架構的伺服器DDR5記憶體。相較傳統設計,新架構有望在相同晶片面積內提高約三分之一的儲存位元密度,進而降低單位生產成本,並有利於發展AI伺服器所需的大容量記憶體模組。

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消息引發市場擔憂,若中國記憶體業者未來加速擴產,可能改變全球DRAM供需結構,對現有記憶體廠商的價格與獲利形成壓力。不過,相關產品的實際量產時程、良率及市場競爭力仍有待觀察,短期尚不能直接認定全球記憶體供給將因此大幅增加。

馬斯克也在社群平台X發文指出,中國一旦掌握某項產品的製造技術,往往能迅速擴大量產規模,甚至超越全球其他國家的總和,鋰電池及太陽能產業便是先例。他認為,記憶體產業可能存在不同發展路徑,但中國正快速掌握相關技術,值得市場留意。

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馬斯克進一步提到,記憶體過去長期屬於低毛利的標準化產品,LPDDR5及LPDDR6等產品採用共同規格,可能有利於後進業者追趕。然而,高頻寬記憶體(HBM)、SRAM與邏輯晶片整合、3D記憶體堆疊及散熱等先進技術,仍具有較高的技術門檻,短期內不容易全面突破。

受到市場疑慮及資金撤出影響,台股13日盤中一度暴跌超過1,200點,終場收在48,341.31點,下跌960.65點、跌幅1.94%,成交金額達1.12兆元。三大法人合計賣超1,984.46億元,其中外資單日大賣1,653.42億元,成為盤面主要賣壓來源。

記憶體股首當其衝,南亞科、華邦電、旺宏(2337)及晶豪科(3006)同步重挫超過7%,力積電也下跌逾5%。其中力積電遭外資連續六個交易日賣超,且13日賣壓進一步加重,成為外資調節最積極的記憶體個股。

觀察外資賣超前十名,除了力積電、南亞科及華邦電外,友達(2409)也遭賣超4.3萬張。ETF方面,主動中信台灣收益(00406A)、元大台灣50(0050)、主動統一台股增長(00981A)、主動統一升級50(00403A)、主動復華未來50(00991A)及主動富邦台灣龍耀(00405A)均列入賣超前十名,顯示資金撤出範圍不僅限於個別產業。

此外,AI光通訊族群跌勢同樣慘烈,聯亞(3081)、前鼎(4908)及全新(2455)同步跌停,IET-KY(4971)、上詮(3363)跌幅超過9%,聯鈞(3450)、訊芯-KY(6451)及華星光(4979)也重挫逾8%,成為當日盤面跌勢最重的族群之一。

法人認為,記憶體產業短期仍受到AI需求與產品報價支撐,但中國業者技術進展及潛在擴產速度,已成為市場重新評估產業前景的重要變數。後續除了觀察長鑫存儲新產品的量產進度,也須留意外資賣壓是否趨緩,以及記憶體價格能否維持強勢。

◎《FTNN新聞網》提醒您:本資料僅供參考,投資人應獨立判斷,審慎評估並自負投資風險。

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