抗衡中國晶片崛起！美應材EPIC研發中心揭幕　台積電、三星、SK海力士組超強聯盟

記者陳欣瑜／綜合報導

面對中國半導體產業快速崛起與記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）帶來的競爭壓力，美國半導體設備巨頭應用材料（Applied Materials）近日於加州森尼韋爾（Sunnyvale）正式為「EPIC研發中心」揭幕！該中心總投資額高達50億美元（約新台幣1600億元），集結了台積電、三星電子、SK海力士、英特爾及美光等全球半導體製造巨頭，打造全球規模最大的半導體製程與設備聯合研發平台，誓言透過跨國頂尖合作，穩固西方在先進製程與高頻寬記憶體的技術領先地位。

據《韓國商報》（Business Korea）報導，應用材料這座EPIC研發中心（EPIC Center）是目前全球最大規模的半導體製程技術與設備研發設施。除了創始合作夥伴包含台積電（TSMC）、三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK hynix）、英特爾（Intel）及美光（Micron）外，創新合作夥伴還涵蓋Broadcom、Advantest、Screen、鎧俠（Kioxia）、Besi等晶片大廠，以及史丹佛大學、加州大學柏克萊分校等頂尖學術機構。SK海力士執行長郭魯正表示，將透過與應材緊密合作，共同攻克高頻寬記憶體（HBM）、DRAM與NAND等關鍵領域的技術轉折點。

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報導分析，此次聯手與中國積極爭奪半導體主導權密切相關。儘管受美國先進技術出口管制影響，荷蘭艾司摩爾（ASML）被禁止出口極紫外光（EUV）設備至中國，致使中國與西方技術交流幾近中斷；但北京當局轉而由政府主導全力開發深紫外光（DUV）設備與自主技術。在此背景下，中國DRAM龍頭長鑫存儲（CXMT）技術進展神速，近期不僅宣布開始量產新一代行動記憶體LPDDR6，更規劃率先採用新一代4F² DRAM架構推出伺服器記憶體DDR5 RDIMM，進度甚至超越三星與SK海力士。

市調機構Counterpoint Research最新數據顯示，今年第2季三星雖仍以39％的市占率位居全球DRAM龍頭，NAND市占率也達29.3％；但中國長鑫存儲的DRAM全球市占率已自去年同期的4％急速飆升至10％，市占率成長翻倍，正加速追趕全球記憶體大廠。面對中國以國家資源推動晶片自主生產的強烈攻勢，美日韓台半導體陣營透過EPIC研發中心進行資源整合，無疑是西方世界反擊中國半導體擴張的重要里程碑。

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