Rubin散熱革命來襲！小摩看好喊奇鋐、雙鴻撐住AI高溫狂潮　營運照樣爆衝

記者莊蕙如／綜合報導

輝達（NVIDIA）下一代AI晶片Rubin的規格傳聞滿天飛，其中最引發矚目的，莫過於總設計功耗（TDP）可能自1,800瓦飆升至2,300瓦，暴增27.7%。伴隨效能升級而來的「高溫挑戰」，也讓散熱技術迎來新世代轉折點冷板逐步被微通道蓋板（microchannel lid）取代。

摩根大通（小摩）最新產業報告指出，Rubin雙晶片版本預料全面導入微通道蓋板，而單晶片版本則仍維持「冷板＋熱擴散器」的現行組合。至於功耗更低的Vera CPU與交換器IC，依然會使用冷板設計，暫無大幅更動。

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這項技術轉換在市場間掀起不少討論，外界擔心既有冷板供應鏈恐怕面臨淘汰風險，奇鋐（3017）、雙鴻在這場散熱技術轉型潮中影響有限，兩家公司短期營運仍具韌性，真正的挑戰是如何在微通道蓋板正式量產前，搶下認證資格。

報告也直言，微通道蓋板的導入並非全面取代，而是針對高功耗晶片設計的必要升級。這意味著奇鋐、雙鴻既有的冷板解決方案依舊不可或缺，同時若能順利切入新技術認證，反而能「雙線受惠」。小摩因此給予兩家公司「優於大盤」評級，看好其在AI狂潮下的散熱版圖持續擴張。

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隨著AI伺服器對算力需求不斷推升，散熱不再只是「輔助配角」，而是能決定晶片能否充分發揮的關鍵主角。法人強調，未來幾年，誰能在散熱技術上快速過關斬將，誰就能在AI供應鏈競賽中坐穩核心地位。

◎《FTNN新聞網》提醒您：本資料僅供參考，投資人應獨立判斷，審慎評估並自負投資風險。