功耗降低96%！輝達、三星攜手研發鐵電NAND　實現「千層堆疊」

記者蔡曉容／綜合報導

《首爾經濟日報》報導，輝達首次直接參與三星電子的鐵電NAND（ferroelectric NAND）快閃記憶體研發，雙方將共同打造下一代人工智慧技術模型。鐵電NAND被視為新世代突破性記憶體，具備高達1000層堆疊能力，功耗較現有技術降低96%，有望同時改善AI資料中心能耗瓶頸，與全球記憶體供應緊縮問題。

市場研究機構Omdia指出，全球NAND供應量自2022年達到2138.7萬的峰值後，如今已大幅下滑至今年的1540.8萬片，且今年第一季價格已較前季飆升9成。在需求快速變化的情況下，汽車、AI加速器與高效能運算等領域對先進記憶體的需求更為迫切。三星電子目前擁有255件鐵電器件相關專利，全球占比27.8%，超越其競爭對手SK海力士和英特爾，技術領先地位明顯。

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輝達則計畫在下一代AI加速器「Vera Rubin」中，導入新型NAND快閃記憶體晶片ICMS，預計相關需求將占全球NAND市場的9.3%。在AI算力快速成長與記憶體結構升級的背景下，三星的鐵電NAND技術與輝達的AI平台緊密結合，市場預期雙方合作將成為AI硬體供應鏈的重要推動力量。