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AI需求引爆記憶體搶貨!美銀喊9月DRAM、NAND再漲10%至20% DRAM產值估暴增逾80%

發布時間:2026/8/29 16:30

實習記者盛琳/綜合報導

AI伺服器狂吃記憶體產能,DRAM、NAND缺貨情況恐持續升溫。美國銀行(BofA)全球研究最新報告指出,受AI基礎設施需求強勁、三星電子與SK海力士等大廠優先供貨給大型客戶,加上消費電子傳統旺季到來,9月通用型DRAM與NAND現貨市場供給滿足率估已低於50%,預期9月現貨價格還有10%至20%上漲空間;美銀也將2027年全球DRAM銷售額成長預估大幅上修至逾80%。

美銀報告指出儲存晶片供給滿足率不足5成,預估9月現貨價續漲且2027年DRAM產值成長上看8成。(示意圖/Unsplash) 

記憶體現貨價格今年已漲得相當驚人。根據DRAMeXchange數據,16Gb DDR5現貨價來到54美元,今年以來上漲85%;16Gb DDR4更達91美元,較去年同期暴漲879%。NAND同樣一路走高,1Tb晶圓現貨價升至31.9美元、年增526%,256Gb晶圓則來到16.8美元,年增幅高達979%。美銀指出,模組廠與白牌OEM目前普遍反映拿不到足量晶片,即使高價已明顯壓縮終端IT產品利潤,短缺情況仍未緩解。

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AI正是這波搶貨潮的最大推手。除了輝達持續擴大GPU平台需求,ASIC、TPU等客製化AI晶片也加入爭奪HBM、DRAM與NAND產能,部分客戶甚至願意提高價格確保供貨。另一方面,三星、SK海力士新增產能持續向HBM等高階產品傾斜,三星目前約60%至70%晶圓產能已納入長期供貨協議(LTA),並預估明年高階GPU及CPU所需DRAM的供給滿足率仍僅約50%至60%。

台廠方面,南亞科(2408)指出DDR4需求依舊強勁,新廠預計2027年第1季開始裝機,初期規劃月產能3萬片晶圓,並在2028年逐步達到完整產能。SK海力士則因HBM持續占用大量晶圓產能,目前沒有大幅增加傳統DRAM、NAND產線的計畫;在AI運算需求持續吸收新增供給下,記憶體市場短期供給吃緊情況仍難快速改善。

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◎《FTNN新聞網》提醒您:本資料僅供參考,投資人應獨立判斷,審慎評估並自負投資風險。

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