英特爾14A製程傳突破！缺陷改善速度22奈米後最佳　外部客戶開始問產能

實習記者盛琳／綜合報導

英特爾（Intel）下一代14A先進製程傳出重大進展。財務長辛斯納（David Zinsner）26日出席德意志銀行2026年科技大會表示，14A目前的缺陷密度改善速度優於公司原訂目標，也是自22奈米製程以來最佳表現。隨著製程進展，英特爾內部團隊已開始設計14A產品，外部晶圓代工客戶也從單純檢視技術數據，進一步詢問未來能取得多少產能。

辛斯納表示，14A缺陷密度不僅優於原先設定的改善曲線，降低缺陷的速度也比近年其他製程節點更快，並直言英特爾「自22奈米以來沒有看過這種表現」。不過，目前比較的是14A在量產前約兩年的缺陷改善軌跡，並不代表14A現階段良率已達22奈米當年成熟量產時的水準。

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客戶動向也出現變化。辛斯納透露，英特爾內部產品團隊已開始採用14A進行產品設計；執行長陳立武（Lip-Bu Tan）與團隊目前每周都會與潛在晶圓代工客戶會面，外部客戶討論內容也從評估製程數據，轉向詢問「能取得多少產能」及未來供應規模。英特爾因此對14A外部需求的信心提高，並開始為後續擴產投入資本。

按照目前規畫，英特爾14A預計2027年進入風險生產，2028年啟動大規模量產，俄勒岡廠將作為14A初期主要生產基地。14A將導入第二代RibbonFET環繞閘極電晶體、PowerDirect背面供電，以及High-NA EUV等新技術，能否順利量產並取得大型外部客戶，也將成為英特爾晶圓代工業務後續發展的重要指標。

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