跟台積電開發12吋光罩！ASML迎AI晶片大單旺到2030年　三星、英特爾布局也曝光

實習記者林子云／綜合報導

全球半導體設備龍頭艾司摩爾（ASML）14日公布第三季財報，並揭露新一代高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）微影設備的最新進展。執行長Christophe Fouquet表示，這項技術正逐步從研發邁向量產，英特爾（Intel）已完成超過100萬片晶圓曝光，三星（Samsung）計畫2028年導入量產，台積電（2330）則瞄準2030年。隨著AI晶片需求持續成長，ASML預估2027、2028年的設備產能仍將無法滿足客戶需求，正評估進一步擴產。

根據《Benzinga》報導，Fouquet在法說會中指出，High-NA EUV技術近期取得明顯進展。英特爾利用新一代設備完成超過100萬片晶圓曝光，相關製程層的表現已達到或超越現有Low-NA EUV技術；三星預計2028年將High-NA EUV導入大規模量產，台積電則規劃2030年跟進。目前既有High-NA EUV設備的可用率已接近90%，Fouquet預期，未來隨著晶片製程持續演進，客戶採用這項技術的範圍也會逐步擴大。

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台積電與ASML也將合作推動更大尺寸的EUV光罩。Fouquet透露，雙方已展開產業合作計畫，希望將現有6吋光罩擴大至12吋，目標是在2031年建立試驗產線、2033年投入量產，藉此提升先進微影技術的生產效率。不過，財務長Roger Dassen提醒，High-NA EUV目前仍處於「非常初期的量產爬坡階段」，必須等待晶片製造商完成技術驗證，並逐步增加使用的製程層數，才能進一步帶動設備採購需求。

財報方面，ASML第三季淨銷售額達116.62億歐元、淨利49.6億歐元，毛利率57.5%，並將2026年全年營收預估調升至440億至450億歐元。Fouquet指出，受到AI投資熱潮帶動，部分客戶甚至已表達希望提前預訂2029年、2030年設備的意願。儘管公司規劃2027年提高Low-NA EUV及浸潤式DUV設備產能約30%，目前評估2027、2028年仍可能供不應求，因此正在研擬進一步擴大2028年產能，因應半導體產業持續增加的設備需求。

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