台積電首度提及1.4奈米製程開發進度　強調2奈米製程2025年實現量產

記者洪宗荃／綜合外電報導

台灣晶圓龍頭台積電在1.4奈米技術上有了新的進度，根據外媒Tom’s Hardware報導，台積電在IEEE國際電子元件會議 (IEDM) 透露，台積電1.4奈米級製程的技術的開發順利進行中。台積電也再次強調，其2奈米級的製程的量產，預計在2025年實現。

根據SemiAnalysis的Dylan Patel公布的消息，台積電的1.4奈米生產節點正式稱為A14。目前，台積電尚未透露計劃何時開始 A14 及其規格的量產（HVM），但鑑於 N2 計劃於2025年末、N2P計劃於2026年末，因此被外界猜測A14會在此之後，大約在2027到2028年之間推出。

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同時，Tom’s Hardware報導也表示，在功能方面，A14不太可能採用垂直堆疊互補場效電晶體（CFET），儘管台積電正在探索該技術。因此，A14 可能會依賴該公司的第二代或第三代環柵 FET (GAAFET)，就如同N2節點一樣，不過N2和A14等節點，都需要系統等級的協同及最佳化，才能真正發揮作用，並實現新水平的效能、功耗和功能。 

不過，仍有待觀察的是，台積電是否計劃在2027年至2028年期間，為其A14 的製程技術，採用高數值孔徑的EUV光刻工具。鑑於此，到那時英特爾（可能還有其他晶片製造商）將採用並完善數值孔徑為0.55的下一代EUV光刻機，晶片合約製造商應該相當容易使用它們。然而，由於高數值孔徑的EUV微影工具將會把「掩模版」（mask）的尺寸減半，其使用未來可能會為晶片設計者和晶片製造商帶來一些額外的挑戰。 

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最後，Tom’s Hardware報導也指出，從現在到2027、2028 年，情況可能會發生變化，因此無法做出太多假設。但很明顯的是，台積電的科學家和開發人員正在研究下一代的製程。