發布時間:2025/9/8 16:00
記者何亞軒/綜合報導
化合物半導體廠漢磊(3707)日前推出碳化矽(SiC)第4代平面型MOSFET(G4)製成平台,而隨著輝達(NVIDIA)考慮將下一代GPU中介層材料由矽改為碳化矽,市場認為漢磊接單有望再添利多,使漢磊在上週狂漲14.1%後今日股價再上攻,今日收盤漲停鎖死57.7元,成交量高達3.2萬張。
漢磊總經理劉燦文指出,新一代G4晶片面積平台將比去年G3大幅縮減20%,並讓導通電阻(Ronsp)改善20%,以滿足客戶對於高整合度、低功耗與高效能的產品需求,強調G4性能達國際IDM水準。
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而隨著人工智慧(AI)晶片製程不斷演進,高功耗運算帶來散熱挑戰成為效能瓶頸,對於半導體供應鏈的要求也更高,輝達(NVIDIA)考慮將下一代GPU中介層材料由矽改為碳化矽,台積電的CoWoS散熱需求帶領了碳化矽題材升溫,促使手握新一代碳化矽平台的漢磊成為一大話題。
漢磊股價於上週三、四連續拉2根漲停,上週漲幅高達14.13%,儘管上週五賣壓以52.5元收黑,今日股價仍迎來強攻,再度以57.7元亮燈漲停鎖死,漲5.2元,成交量高達3.2萬張。
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