記憶體短缺15年來最吃緊！高盛1原因降評美光　押寶三星、SK海力士持續受惠

財經中心／綜合報導

全球記憶體產業正迎來新一波結構性供需緊張。高盛最新研究指出，2026年至2027年DRAM、NAND與HBM三大產品線供應將同步出現顯著缺口，且緊張程度遠高於市場原先預期。在AI伺服器需求高度集中、主要廠商擴產彈性有限的情況下，即使價格持續上揚，終端需求受到的壓抑也相對有限，顯示記憶體過往的低價循環可能已經告終。

高盛大幅上修DRAM供需缺口預估，2026年與2027年全球供不應求幅度將達4.9%與2.5%，其中2026年將是近15年最吃緊的一年，核心動能來自AI伺服器建置潮，帶動記憶體容量需求大幅提升。

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報告指出，2026、2027年伺服器DRAM需求年增率分別高達39%與22%；若納入HBM計算，伺服器相關用量將占全球DRAM總需求的53%與57%，門檻正式過半，成為市場主力需求來源。即便在悲觀情境下，假設智慧型手機與PC出貨量同步走弱，伺服器端需求仍足以支撐整體市場維持緊繃。

供應端方面，主要廠商短期難以大幅擴產。高盛指出，SK海力士新增產能多集中於HBM；三星電子P5廠與SK海力士龍仁新廠最快也要到2027年下半年才可能量產。高盛預估，2026、2027年DRAM供給年增率僅約21%與19%，明顯與需求成長有所差距。

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市場一度期待中國記憶體廠擴產能緩解全球供應壓力，但在美國限制措施下，美系雲端服務業者難以採用相關產品，即便中國產能增加，對全球供需結構的實質影響仍有限，難成為此波缺貨的解方。

不只DRAM，NAND市場也面臨收縮。高盛預估2026、2027年NAND供不應求幅度將達4.2%與2.1%，可能創下歷來最大等級缺口之一。需求主力同樣來自AI伺服器與企業級SSD應用。高盛將企業級SSD需求成長率上修至2026年58%、2027年23%，在整體NAND需求中的占比將升至36%與39%。相較之下，行動裝置與PC市場動能轉弱。2026年行動NAND需求恐呈零成長，PC端SSD需求亦接近停滯，反映出貨量放緩與價格上漲壓抑容量提升。

在高階記憶體領域，HBM成長最為迅猛。高盛預估2026、2027年HBM市場規模將達540億與750億美元，即便供應商積極擴產，仍將分別出現約5.1%與4.0%的供需缺口。值得注意的是，ASIC晶片對HBM的需求快速攀升，預計2027年占比將提升至36%。

在投資面向，高盛維持對三星電子與SK海力士的正面看法，認為兩家公司將是此波記憶體緊缺格局下的最大受益者。分析指出，三星2026年營業利益可望顯著成長，股東權益報酬率（ROE）上看30%；SK海力士因AI記憶體布局領先，2026年DRAM營運利潤率可能逼近80%，ROE甚至有機會超過70%。

相較之下，高盛將美光評級下調至中性，認為多數利多已反映於股價，且未來HBM定價在競爭加劇下恐承壓，風險報酬比趨於平衡。