DDR4缺貨潮比預期更猛！華邦電目標價飆222元、南亞科上看380元 外資認錯大翻多

記者莊蕙如／綜合報導

記憶體產業景氣反轉力道持續增強，隨著DDR4供給缺口擴大、報價看漲，加上矽電容（Si Cap）新商機浮現，國際資金開始重新評價成熟製程記憶體廠的成長潛力。摩根士丹利（大摩）最新產業報告大幅調升華邦電（2344）與南亞科（2408）評價與目標價，激勵記憶體族群1日全面走強，其中南亞科直接亮燈漲停，華邦電也大漲逾半根停板，成為盤面焦點。

相較市場過去聚焦高頻寬記憶體（HBM）與DDR5，大摩最新報告則將目光轉向成熟型記憶體市場，並以「成熟型記憶體的驚喜行情才正要開始」為題，認為市場明顯低估DDR4供需失衡所帶來的獲利爆發力。

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根據大摩最新供需模型，2026年下半年DDR4市場供給缺口將擴大至19%至20%，明顯高於先前預估的14%，而2027年至2028年供需缺口仍將維持18%至20%的高水準。主要原因在於全球記憶體大廠持續將產能轉向DDR5與AI相關產品，包括SK海力士積極調整產能配置，美光也已預告未來數季供給將進一步收縮，使DDR4供應持續減少。

在供給縮減速度超越需求調整下，大摩預估DDR4價格漲勢將延續，今年第三季報價季增幅度有機會達到20%，為相關業者帶來顯著獲利槓桿效應。

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除了DDR4漲價循環外，大摩也看好矽電容成為成熟型記憶體廠的新成長引擎。報告指出，矽電容產品核心技術與DRAM製程高度相似，皆仰賴高深寬比溝槽結構，因此具備成熟製程經驗的記憶體廠有機會快速切入相關市場。隨著AI伺服器、高效能運算與先進封裝需求提升，矽電容市場的重要性正快速增加，也成為推動記憶體族群重新評價的重要催化劑。

看好雙重利多發酵，大摩大幅調升華邦電未來獲利預測，2026年至2028年每股純益預估分別上修23%、65%及94%，反映DDR4報價走強以及矽電容與SLC NAND業務成長潛力。評等同步由原先保守立場轉為「優於大盤」，目標價更一口氣從100元調升至222元。

南亞科同樣獲得外資高度肯定。大摩認為，公司除受惠DDR4價格上揚外，也有望持續擴大與伺服器及企業級SSD客戶簽署長約，進一步穩定獲利表現。因此將南亞科2026年至2028年每股純益預估值上調15%、29%及33%，並將目標價由278元大幅調高至380元，同時將評等升至「優於大盤」。

市場人士分析，過去兩年成熟型記憶體產業長期受到供過於求壓力影響，但隨著國際大廠全面轉向高階產品布局，DDR4市場已逐步進入供給收縮階段。在AI需求持續擴張以及新應用加持下，記憶體族群有機會迎來新一波獲利重估行情，也讓華邦電與南亞科重新站上市場資金追逐焦點。

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