HBM霸主地位恐鬆動？「HBF革命」SK海力士、SanDisk聯手引爆　AI記憶體新戰場開打

記者陳雅婷／綜合報導

AI運算需求持續爆發，記憶體架構迎來新競爭。南韓記憶體大廠SK海力士（SK hynix）4日宣布，攜手SanDisk發布下一代儲存技術「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash，HBF）首套標準規範，正式推動AI時代新的儲存層級發展。

此次HBF標準由全球開放資料中心技術組織Open Compute Project（OCP）發布，代表該技術從企業合作方案進一步走向產業開放標準。SK海力士表示，雙方自去年8月展開標準化合作，並於今年2月成立HBF聯盟，歷經約6個月完成首項規範制定。

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根據規範內容，HBF將提供8層與16層兩種NAND晶片堆疊方案，最高支援512GB容量；資料傳輸能力則依Grade 1至Grade 3分級，頻寬約介於0.4TB/s至3.0TB/s，可因應不同規模的AI運算需求。

SK海力士指出，HBF主要鎖定AI推論時代的資料處理需求，定位介於高頻寬記憶體（HBM）與固態硬碟（SSD）之間。由於AI模型規模快速擴大，現有HBM雖具備高速傳輸能力，但成本高、容量擴充有限；SSD則具備大容量優勢，但速度難以滿足AI運算需求，因此市場開始尋找兼具速度與容量的新型記憶體架構。

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HBF正是為解決這項問題而生，透過NAND Flash的大容量特性，搭配高速互連技術，試圖打造低成本、高容量且具備高速資料傳輸能力的新方案，補足AI伺服器在儲存層級上的缺口。

在技術規格方面，HBF規範涵蓋晶片互連介面、電氣特性、NAND堆疊可靠性、封裝設計，以及資料讀寫軟體指引。其中，HBF採用業界標準UCIe互連技術，未來可與GPU、CPU等不同處理器彈性連接，有助於擴大AI晶片生態系。

目前HBF聯盟已吸引Google與Tenstorrent等企業加入，SK海力士也計畫透過開放合作模式，加速技術成熟與市場導入。公司認為，隨著代理式AI快速商業化，未來資料處理量將持續增加，伺服器架構將朝向結合多種記憶體的「分層記憶體」方向發展。

除了HBF布局外，SK海力士也同步展示最新第十代（V10）4D NAND技術，採用375層堆疊架構，效能功耗比較上一代提升約2.5倍，預計2027年初投入企業級SSD量產，進一步搶攻AI資料中心市場。

市場認為，AI競爭已從GPU效能延伸至記憶體與儲存架構之爭。隨著HBF標準正式建立，後續能否獲得更多晶片、伺服器與雲端業者支持，將成為決定這項技術能否成為下一代AI基礎架構的重要關鍵。