台積電攜ASML推12吋光罩！這「台廠」先行布局、通吃紅利　 股價一度衝漲停

記者周雅琦／綜合報導

台積電（2330）與艾司摩爾（ASML）宣布攜手推動12吋High NA EUV光罩技術，並與英特爾（Intel）Foundry、三星（Samsung）共同建立新世代微影規格。法人指出，隨著High NA EUV逐步取代現行Low NA EUV，將帶動光罩載具規格升級，半導體關鍵載具廠家登（3680）憑藉先行者優勢，有望成為長期受惠者，看好下半年營收逐季成長，並優於上半年。受利多激勵，公司今（9）日開盤即跳空漲停，雖尾盤未能鎖住，但仍大漲近9%。

法人表示，目前半導體產業主要採用6吋光罩，但High NA EUV曝光面積僅為Low NA EUV的一半，若維持既有規格將面臨光罩拼接（Stitching）限制，因此台積電、ASML、Intel及三星共同推進12吋光罩規格，可望加速High NA EUV的採用時程、規格制定以及經濟效益。

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其中，台積電規劃2030年起於先進製程量產導入High NA EUV，2031年前建立12吋光罩試產線，並於2033年前完成微影系統布局；三星則預計2028年前率先應用於DRAM製程，Intel則已累積超過100萬片晶圓經過High NA製程驗證。

在此背景下，家登已推出兩款High NA EUV Pod產品，包括原尺寸Phase 2版本及6×12吋規格產品。其中Phase 2已具備出貨實績，應用於Intel 18A特定製程層及部分客戶研發設備，產品單價較現行Low NA EUV Pod高出約10%。至於6×12吋載具規格，目前仍在與客戶洽談價格。

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法人進一步指出，競爭對手Entegris雖曾參與6×12吋光罩載具規格制定，但至今尚未推出明確產品。考量Intel未來14A製程將大規模採用High NA EUV，家登目前在Intel EUV Pod市占率達100%，具備明顯先行者優勢。加上子公司家碩下半年進入營收驗證期，看好家登將持續鞏固產業領導地位，並有機會進一步打入三星供應鏈。

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