AI把記憶體產能吃光了！NAND第四季恐再漲30％、DRAM漲20％　南亞科、群聯6台廠吃補

記者莊蕙如／綜合報導

AI資料中心持續大舉吞噬記憶體產能，第四季漲價行情恐怕還沒結束。產業人士預估，2026年第四季DRAM價格可望季增約20％，NAND Flash漲幅更上看30％，記憶體市場持續由賣方掌握主導權。台廠包括南亞科（2408）、華邦電（2344），以及群聯（8299）、威剛（3260）、創見（2451）、十銓（4967）等供應鏈，可望同步受惠報價走高、高容量產品需求擴張及庫存價值提升。

不同於過往記憶體景氣主要跟著PC、手機換機週期起伏，業界認為，這一輪行情背後更大的力量來自AI所創造的結構性需求。記憶體原廠在2023年至2024年間大砍資本支出及晶圓投片，當時留下的供給缺口尚未完全補足，如今又碰上AI基礎建設快速擴張，讓供應端更難追上需求。

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NAND市場的需求結構尤其出現明顯變化。過去主要由智慧手機及PC等消費性電子產品拉動，如今需求重心正快速轉向AI資料中心、企業級固態硬碟（Enterprise SSD）以及高容量QLC產品，AI儲存需求逐漸成為新一波成長核心。

隨大型語言模型從訓練階段進一步走向大規模推論，背後所需的儲存量也跟著暴增，包括鍵值快取（KV Cache）、檢索增強生成（RAG）及大量中間運算資料，都需要高速且高容量的儲存設備支援，使NAND在AI記憶體架構中的重要性持續提高，資料中心對Enterprise SSD的需求也同步放大。

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NAND雖已有新產能陸續加入，包括鎧俠K2廠、Solidigm大連二廠及長江存儲新增產能逐步開出，但真正具規模的大型全新晶圓廠，仍要等到2028年以後才會出現較明顯的產能貢獻，短期供給壓力難以快速解除。

DRAM同樣面臨產能遭高階產品大量吸收的情況。HBM4、伺服器DDR5、高容量RDIMM、SOCAMM及LPDDR需求持續升溫，大量占用先進DRAM晶圓產能，導致一般型DRAM可以分配到的產能進一步受到擠壓。

目前三星電子P4廠及SK海力士M15X廠，是近期較明確的DRAM新增產能來源，但新產能仍以HBM及先進DRAM產品為主要方向，因此即使擴產陸續展開，對一般型DRAM供給增加的效果仍相對有限。

更大規模的供給則還要再等一段時間，包括美光愛達荷州新廠、SK海力士龍仁Y1廠、美光台灣銅鑼廠，以及南亞科5A新廠等，多數都要到2027年以後才會逐步貢獻產能。

在新增供給短期難以追上AI需求的情況下，DRAM與NAND第四季價格預估分別再漲約20％、30％，顯示這波記憶體超級循環仍有延續空間。對南亞科、華邦電等記憶體製造商，以及群聯、威剛、創見、十銓等控制晶片與模組業者而言，後續產品報價、高容量需求及庫存價值變化，將持續牽動營運表現。

◎《FTNN新聞網》提醒您：本資料僅供參考，投資人應獨立判斷，審慎評估並自負投資風險。