發布時間:2026/1/11 15:15
記者莊蕙如/綜合報導
人工智慧全面升級,正把記憶體推向前所未見的緊繃狀態。隨著AI模型規模持續膨脹,對高頻寬、高密度記憶體的依賴急速拉高,市場供需失衡愈演愈烈。法人直指,三星、SK海力士與美光三大原廠在產能受限、且全面鎖定高毛利策略下,供給難以有效擴張,記憶體市場已正式進入被形容為「地獄級缺貨」的階段,緊張態勢甚至可能一路延燒至2027年底。
過去被視為成本項目的DRAM與NAND,如今已成為左右AI運算效能的關鍵資源。隨著高階AI訓練與推論需求暴衝,記憶體角色徹底翻轉,產業也因此邁入長周期的「記憶體超級循環」。法人分析,價格將是下一個全面失控的變數,其中2026年被視為報價大爆發的關鍵轉折點。
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以原廠混合產品平均單價(blended ASP)推估,三星2026年DRAM平均售價年增幅度可望高達84%,SK海力士約75%,而NAND產品也不遑多讓,ASP年增幅度上看71%,漲勢幾乎全面開火。
從庫存水位來看,市場幾乎沒有任何緩衝空間。目前DRAM原廠成品庫存僅約四至五周,主要客戶端庫存也僅七至九周;NAND部分,Client與企業級SSD庫存水位落在五至九周區間。法人指出,在需求持續加溫的情況下,任何突發訂單都可能瞬間放大缺貨壓力。
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需求端的引爆點,來自Agentic AI與推論工作負載的快速擴張。法人預估,雲端服務供應商在2026與2027年的資本支出將分別年增45%與13%,其中約四成直接投入運算硬體,等同把高階記憶體需求再往上推一個檔次,伺服器端成為吃貨主力。
供給面卻難以跟上。原廠資源高度集中於HBM產品,使非HBM DRAM的產能擴張明顯受限,法人預估,2026至2027年非HBM位元供給年增率恐低於12%。至於HBM本身,隨著HBM4晶片尺寸較HBM3E放大約16%,且HBM4E朝16至20層堆疊發展,製程複雜度與良率挑戰同步升高,供給吃緊的狀況恐怕難以在短期內緩解。
更關鍵的是,記憶體原廠的定價邏輯已徹底翻轉。市場傳出,三星、SK海力士與美光已全面以至少60%毛利率作為定價底線,形同由三大廠牢牢掌控價格主導權。最新研調機構預估顯示,SK海力士2026年毛利率可望逐季墊高至63%、64.5%與65%,形成「60%就是地板」的新常態,一線記憶體大廠的整體毛利率水準,甚至已全面超越台積電,為這波記憶體超級循環寫下最震撼的註解。
◎《FTNN新聞網》提醒您:本資料僅供參考,投資人應獨立判斷,審慎評估並自負投資風險。
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