台積電有望再吃合作商機？SK海力士拚下一代3D DRAM　「這項新技術」導入邏輯晶圓代工

實習記者盛琳／綜合報導

根據《朝鮮日報》報導，SK海力士在8日「2026 Future Forum」提出全新技術路徑，規劃將負責資料儲存的記憶體單元，與執掌資料輸入輸出的周邊電路拆開製造，隨後透過3D堆疊與細間距鍵合技術整合，其中周邊電路將導入先進邏輯晶圓代工製程，以突破單一製程在儲存密度與運算功耗難以兼顧的物理限制。

由於雙方在第六代高頻寬記憶體（HBM4）已展開合作，SK海力士自HBM4起即改採台積電先進邏輯製程打造基礎晶粒（base die），雙方並於2024年確立開發與先進封裝夥伴關係；SK海力士今年4月更在台積電北美技術研討會明確表態，兩者技術整合將自HBM4擴展至客製化HBM、高頻寬快閃記憶體（HBF）與「邏輯上的3D堆疊DRAM」，引發市場聯想台積電是否擴大承接代工訂單。

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不過，目前尚不能直接推論SK海力士會將3D DRAM邏輯電路交由台積電生產。韓國產業經濟與貿易研究院（KIET）研究委員金良彭分析，現階段擴大外部晶圓代工合作的機率仍偏低，但若未來產品推進時程落後競爭對手，外部晶圓代工便會成為縮短研發時程的備選方案；相較於兼具記憶體與代工業務的三星電子，SK海力士雖具備彈性調度外部代工資源的優勢，最終仍取決於產品開發結果與時程。

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