發布時間:2026/9/19 13:00
實習記者盛琳/綜合報導
中國DRAM製造大廠長鑫存儲(CXMT)傳出積極擴大產品布局,規劃進軍NAND快閃記憶體市場,引發全球儲存晶片版圖重組關注。據路透報導指出,長鑫存儲正計畫在北京一座新廠建置NAND快閃記憶體研發生產線,儘管長鑫存儲尚未確認量產時程,但此舉若成真,將對三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)與長江存儲(YMTC)等既有巨頭構成挑戰。
根據研調機構Counterpoint Research最新數據,全球第二季NAND市場龍頭仍為三星電子,市占率達28%;SK海力士以19%居次,美光市占率約15%,長江存儲、鎧俠(Kioxia)各占14%,晟碟(SanDisk)則占11%。分析指出,儘管美光與SK海力士均有約四分之一營收仰賴NAND,但若長鑫存儲初期以滿足中國本土市場為主,首當其衝的將是同屬中國本土陣營的長江存儲,對國際大廠的實質侵蝕短期內相對有限。
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此外,受惠AI與運算需求爆發,記憶體市場正處於高速擴張週期,Counterpoint數據顯示第二季DRAM市場季增57%、NAND市場更季增達70%,為既有業者提供充裕的獲利防禦空間。市場普遍評估長鑫存儲從研發推進至成熟量產仍具變數與挑戰,美光(MU-US)周五於美股勁揚3.92%,SK海力士ADR也上漲2.46%,盤面走勢反映投資人對外部競爭威脅態度相對淡定。
◎《FTNN新聞網》提醒您:本資料僅供參考,投資人應獨立判斷,審慎評估並自負投資風險。
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