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目標價660元!「記憶體大廠」EPS上看至110元 布局WoW、TSV切入封測領域+新廠拚明年Q4投產

發布時間:2026/10/13 22:15

記者王凱暄/綜合報導

記憶體指標大廠南亞科(2408)昨(12)日召開法說並公布Q3財報,其中單季EPS大賺25.4元十分亮眼,而本土法人則出具報告表示,Q4 DRAM報價有望續漲、未來則有新廠投產及布局3D IC相關封裝技術等動能,法人因此看好南亞科後續營運,本次除維持其「買進」投資評等,也給出660元目標價。

本土法人本次除維持南亞科(2408)「買進」投資評等,也給出660元目標價。(示意圖/pexels)

法人指出,南亞科Q3合併營收1336.49億元,季增61.9%、年增611.7%,優於法人預期;其中,本季DRAM平均售價季增逾6成,銷售量則季減下滑4到6%、匯率季增有利1到3%。受惠不少客戶LTA(長約)更新帶動之價格一次性上修,推升毛利率升至85.7%,季增約6.2個百分點。南亞科整體Q3營業利益1068.94億元;業外淨利24.38億元,稅前淨利1093.32 億元,稅後淨利876.27億元,單季EPS約25.40元,略低於法人預期,主要差異來自員工薪酬高於預期。

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法人表示,南亞科已規畫前段Fab5A與後段WoW(Wafer-on-Wafer)新產能,主要用於支援AI基礎設施,出海口大部分皆有長約綁定,目標到2029或2030年使AI基建相關營收占比由目前20%提升至40至50%;首先,Fab5A新廠預計在2027年Q4開始產出,並逐步擴大投片,預計2028年底前達每月3萬片;最終產能目標為在2030年底前達每月投片量5萬片;其次,南亞科將於屏東科學園區投資設立3D晶圓封裝測試廠,導入矽穿孔 (TSV)、晶圓堆疊等3D IC先進技術,布局晶圓級封裝與測試之專業製造 整合能力;最後,南亞科預計在明年Q1進行Fab5A設備裝機,並同步進行1C製程的客戶驗證。

展望Q4,法人預期消費級DRAM漲幅約達3至8%、其他傳統DRAM漲幅約10至15%;預估南亞科Q4 EPS約達24.86元,全年EPS約72.36元。放眼2027年,Fab 5A預計Q4開始有意義產出;由於DDR4升級到DDR5的情況擴大,銷售組合預料逐漸往DDR5放大,因此每GB平均售價可能因此出現逐季下滑。法人預期南亞科2027年合併營收約5757億元,其中位元銷售量年增約中個位數、ASP年增估約四成,整體毛利率估達86.1%,營業利益估約4651億元,歸屬母公司稅後淨利估約3806億元,EPS估約110.30元。

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評價方面,法人則點出儘管南亞科未來9個月產出量大致持平,不過投資人正逐步認同DRAM明年仍將供不應求,售價也不會出現修正,因此法人看好南亞科評價有望得到提升,此次維持「買進」投資評等,目標價給到660元。

◎《FTNN新聞網》提醒您:本資料僅供參考,投資人應獨立判斷,審慎評估並自負投資風險。

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