力積電調整產品線投資策略　下半年營收盼逐步回升

力積電總經理謝再居今天表示，力積電近年調整產品線投資策略，開發BCD製程製作電源管理IC，擴大快閃記憶體產品線，及開發晶圓對晶圓堆疊技術，預期下半年至明年上半年，調整成效顯現，營收可望逐漸回升。

晶圓代工廠力積電今天召開股東常會，因董事長黃崇仁遲到，會議一開始由謝再居代為主持。謝再居說，雖然人工智慧（AI）近一年來的市況非常火熱，但是手機及電腦市場呈現萎縮、衰退，相關半導體產線如顯示器IC、影像感測器、電源管理IC都受到很大衝擊。

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謝再居表示，類標準型動態隨機存取記憶體（DRAM）市價也隨著整體記憶體市場崩跌，使得力積電2023年總營收衰退42%，至新台幣440億元。包括認列103億元閒置產能會計項目損失，及銅鑼新廠24億元開辦費用，全年虧損16億元。

謝再居指出，疫情過後，應用市場反彈並沒有預期的好，尤其在中國市場非常疲弱，客戶庫存調整拉長，影響客戶下單信心，加上中國成熟製程產能擴充及嚴厲競爭，代工單價緩步下調，農曆年後才有止穩跡象，其中只有記憶體代工有回升。

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為順應供應鏈調整地緣政治效應，以及中國業者競爭，謝再居說，力積電近2年努力調整產品線投資策略，試著迎接有離開中國生產產品的客戶需求，如積極開發BCD製程，製作電源管理IC，爭取物聯網、AI、高速運算、電動車等高成長市場使用的機會。

謝再居表示，力積電還逐漸擴大單層式儲存型快閃記憶體（SLC NAND Flash）及高密度編碼型快閃記憶體（NOR Flash）產品線，服務客戶，應用包括網通、行動裝置、物聯網及電腦週邊。

至於8吋晶圓代工方面，謝再居說，力積電與客戶合作持續精進功率元件如金氧半場效電晶體（MOSFET）、絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）產品特性，提高競爭力，同時積極推展第3代半導體氮化鎵，滿足客戶多元需求。

謝再居表示，生成式AI應用逐漸普遍，力積電已經開發晶圓對晶圓堆疊技術多年，等待AI從大型伺服器運算中心，擴展到特殊應用的邊緣運算，就可以提供高頻寬低耗電解決方案。

謝再居說，力積電期待相關調整及準備工作於下半年至明年上半年，當客戶庫存調整恢復正常後，成效就會顯現，加上銅鑼廠產線下半年開始提供業務新機會，營收將會逐漸回升。力積電股東會承認去年度財報，並決議不配發股利。

（中央社）