南亞科總座：記憶體缺口恐持續至2028下半年，泰山新廠4.5萬片產能急搶市

圖文／鏡週刊

AI浪潮帶動高頻寬記憶體（HBM）需求爆發，嚴重排擠常規DRAM產能，讓作為目前少數能穩定大量供應DDR4的南亞科，大賺產能排擠紅利。南亞科總經理李培瑛今（4）日表示，至明年上半年為止，市場的新產能相當有限、供需狀況仍吃緊，他並透露南亞科於新北市泰山的新廠預計明年初開始裝機，目標2028年月產出2萬片晶圓。

南亞科總經理李培瑛指出，記憶體供給端至少要到明年下半年才開始有新產能開出，目前仍不確定供給量會有多少，「以現在需求的缺口來講，看起來是缺口滿大的。有可能在2028年下半年，供給會稍微多一點，但是不是能夠填滿缺口，還要持續觀察一陣子。」

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在需求端，李培瑛表示，美國大型雲端公司及資料中心的需求帶動，高頻寬記憶體（HBM）市場正迎來爆發性成長。他指出，製造一顆HBM所需消耗的產能，是一般標準型DRAM的2～2.5倍，即使HBM僅佔總市場份額的10%，卻會動用全球高達25%的記憶體產能。

李培瑛比喻，這樣的產能消耗規模之大，不僅超越記憶體大廠美光（Micron）的總產能，更相當於南亞科現有產能的近10倍之多。

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為填補長線的產能缺口，李培瑛透露，南亞科位於新北市泰山的新廠正加緊趕工，他開玩笑表示要看出記憶體熱度有多高，新廠的施工燈火就是溫度計，「現在高速公路或是高鐵開過去，看到燈火通明的就是它（新廠）。」

李培瑛表示，目標明年一月泰山新廠會開始設備裝機，同年下半年小規模放量，至2028年每月可以有2萬片產出，待廠區空間全數擴充完畢，最大產能約4.5萬片晶圓。

面對中國記憶體廠積極擴充產能的競爭壓力，李培瑛則認為，中國競爭對手目前銷售仍以內需市場為主，加上要轉向高階DRAM市場，需要重新開發製程、產品，並經過市場驗證，短期內還不會影響整體市場供給。

南亞科董事會今日也通過上限520億元的資本支出案，將持續發展1C、1D先進製程與DDR5產品，並為未來的極紫外光（EUV）技術預作佈局。而隨著新廠營運在即，南亞科也宣布今年將啟動大規模徵才計畫，預計招募1500名員工。

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